金融界2024年8月30日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥艾创微电子科技有限公司取得一项名为“一种氧化镓场效应晶体管“，授权公告号CN21632572U，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种氧化镓场效应晶体管，包括氧化镓基片、源极区、漏极区以及栅极区，栅极区包含与氧化镓基片的一部分接触的具有凹槽的栅极绝缘介质，以及形成在该凹槽内的栅极金属，所述栅极绝缘介质分别向源极区和漏极区延伸，并完全覆盖源极欧姆金属与漏极欧姆金属之间的区域；第一源场板具有镂空结构区域，该镂空结构区域至少覆盖所述栅极区的部分区域。本实用新型对场板结构进行镂空设计，降低栅场板与源场板之间的正对面积，从而降低栅、源之间的寄生电容，也即降低了电荷量，充电时间就会变短，电荷提供的越快，器件的电压改变的也就越快，因此栅、源输入电容的降低能改善器件的转换效率及频率特性。
本文源自金融界
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