金融界2024年8月4日消息，天眼查知识产权信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用“，公开号，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用，其外延设计结构包括：以高浓度掺杂成型在衬底上的第一外延层，且该第一外延层阻挡衬底扩散；以负斜率阶梯式掺杂浓度经离子注入成型在所述第一外延层上的第二外延层。其中，高浓度掺杂为砷掺杂，且第一外延层的Rdson占比小于MOSFET功率器件总Rdson的5%。本发明采用砷成型第一外延层和精准的负斜率阶梯掺杂浓度成型的第二外延层，使得功率MOSFET在BV增加的同时降低导通电阻，提升DC‑DC能量转换效率，同时降低功率器件的制造成本，且公开的负斜率阶梯式掺杂浓度的第二外延层制作方法与功率器件制造工艺兼容，能够应用于沟槽型和屏蔽栅型MOSFET功率器件当中。
本文源自金融界
版权声明：本站所有作品（图文、音视频）均由用户自行上传分享，仅供网友学习交流，不声明或保证其内容的正确性，如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容。请举报，一经查实，本站将立刻删除。