IT之家8月1日消息，泛林集团LamResearch当地时间昨日宣布推出面向3DNAND闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术。
泛林集团全球产品部高级副总裁SeshaVaradarajan表示：
而在孔道构建过程中，即使图形特征与目标轮廓出现原子级的轻微误差，也可能对存储新品的电气性能产生负面影响，并可能影响良率。
此外相较传统介电工艺，技术的蚀刻速度是前者的2.5倍，能耗降低了40%，排放量更减少了90%。
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